DTA115EMT2L

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Spezifikation

Artikelnummer

DTA115EMT2L
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.DTA115EMT2L.pdf
2.DTA115EMT2L.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

VMT3
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

100 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

100 kOhms
Leistung - max

150mW
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SOT-723
Andere Namen

DTA115EMT2LDKR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 20mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

82 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

20mA
Basisteilenummer

DTA115

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Zahlungsmittel

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Wir unterstützen mehrere Zahlungsmethoden, einschließlich Kreditkarten, Kabelübertragungen und andere Optionen, und akzeptieren die meisten Währungen.Für Bestellungen in USD sind zusätzliche Zahlungsoptionen verfügbar.Weitere Informationen zu Zahlungsmethoden und -verfahren erhalten Sie von unserem Verkaufsteam.

Das Folgende sind "DTA115EMT2L" -Einziper.

DTA115EET1

Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DTA115EMT2L

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