DTA123JEBHZGTL

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Spezifikation

Artikelnummer

DTA123JEBHZGTL
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.DTA123JEBHZGTL.pdf
2.DTA123JEBHZGTL.pdf
ECAD -Modell
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

PNP - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

EMT3F (SOT-416FL)
Serie

Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms
Leistung - max

150mW
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

SC-89, SOT-490
Andere Namen

DTA123JEBHZGTLDKR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

40 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

80 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

-
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "DTA123JEBHZGTL" -Einziper.

DTA123JET1G

Beschreibung:

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DTA123JEBHZGTL

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