DTC123JMFHAT2L

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Spezifikation

Artikelnummer

DTC123JMFHAT2L
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.DTC123JMFHAT2L.pdf
2.DTC123JMFHAT2L.pdf
ECAD -Modell
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 250µA, 5mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased + Diode
Supplier Device-Gehäuse

VMT3
Serie

Automotive, AEC-Q101
Widerstand - Emitterbasis (R2)

47 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms
Leistung - max

150mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

SOT-723
Andere Namen

DTC123JMFHAT2LCT
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

7 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 100mA 250MHz 150mW Surface Mount VMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

80 @ 10mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

-
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

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Das Folgende sind "DTC123JMFHAT2L" -Einziper.

DTC123JSATP

Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

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