DTC123EUAT106

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Spezifikation

Artikelnummer

DTC123EUAT106
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.DTC123EUAT106.pdf
2.DTC123EUAT106.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

NPN - Pre-Biased
Supplier Device-Gehäuse

UMT3
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

2.2 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

2.2 kOhms
Leistung - max

200mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-70, SOT-323
Andere Namen

DTC123EUAT106-ND
DTC123EUAT106TR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

20 @ 20mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

DTC123

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Das Folgende sind "DTC123EUAT106" -Einziper.

DTC123JCAT116

Beschreibung: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

DTC123EUAT106

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