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4172195EM6K1T2R-Bild.LAPIS Semiconductor

EM6K1T2R

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    EM6K1T2R
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET 2N-CH 30V .1A EMT6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 100µA
  • Supplier Device-Gehäuse
    EMT6
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 Ohm @ 10mA, 4V
  • Leistung - max
    150mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOT-563, SOT-666
  • Andere Namen
    EM6K1T2R-ND
    EM6K1T2RTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    13pF @ 5V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    -
  • Typ FET
    2 N-Channel (Dual)
  • FET-Merkmal
    Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 150mW Surface Mount EMT6
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    100mA
  • Basisteilenummer
    *K1
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