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3416777FMG8AT148-Bild.LAPIS Semiconductor

FMG8AT148

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    FMG8AT148
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    FMG8AT148.pdf
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    50V
  • VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Transistor-Typ
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SMT5
  • Serie
    -
  • Widerstand - Emitterbasis (R2)
    47 kOhms
  • Widerstand - Basis (R1)
    4.7 kOhms
  • Leistung - max
    300mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-74A, SOT-753
  • Andere Namen
    FMG8AT148-ND
    FMG8AT148TR
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequenz - Übergang
    250MHz
  • detaillierte Beschreibung
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT5
  • DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE
    80 @ 10mA, 5V
  • Strom - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    100mA
  • Basisteilenummer
    *MG8

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FMG2G400US60

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Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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FMG5AT148

FMG5AT148

Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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FMG2G100US60

Beschreibung: IGBT MOLDING 600V 100A 7PM-GA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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RFQ
FMG2G300US60E

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Beschreibung: IGBT MOLDING 600V 300A 7PM-HA

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FMG2G75US120

FMG2G75US120

Beschreibung: IGBT POWER MOD 1200V 75A 7PM-GA

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FMG2G150US60

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FMG2G50US120

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FMG4AT148

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FMG2G150US60E

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Beschreibung: IGBT MOLDING 600V 150A 7PM-GA

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FMG2AT148

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FMG6AT148

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FMG9AT248

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Beschreibung: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5

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Beschreibung: IGBT POWER MOD 600V 300A 7PM-IA

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