FMG9AT148

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Spezifikation

Artikelnummer

FMG9AT148
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.FMG9AT148.pdf
2.FMG9AT148.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Transistor-Typ

2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Supplier Device-Gehäuse

SMT5
Serie

-
Widerstand - Emitterbasis (R2)

10 kOhms
Widerstand - Basis (R1)

10 kOhms
Leistung - max

300mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SC-74A, SOT-753
Andere Namen

FMG9AT148-ND
FMG9AT148TR
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

250MHz
detaillierte Beschreibung

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT5
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

30 @ 5mA, 5V
Strom - Collector Cutoff (Max)

500nA
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA
Basisteilenummer

*MG9

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Das Folgende sind "FMG9AT148" -Einziper.

FMG2G300US60

Beschreibung: IGBT MOLDING 600V 300A 7PM-IA

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FMG9AT148

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