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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > R5011FNX

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1541344

LAPIS Semiconductor

R5011FNX

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Spezifikation

Artikelnummer

R5011FNX
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

R5011FNX.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220FM
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

520 mOhm @ 5.5A, 10V
Verlustleistung (max)

50W (Tc)
Verpackung

Bulk
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3 Full Pack
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

950pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

500V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 500V 11A (Ta), 5.4A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220FM
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

11A (Ta), 5.4A (Tc)

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Das Folgende sind "R5011FNX" -Einziper.

R5020218FSWA

R5020218FSWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 175A DO205AA

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R5011610XXWA

R5011610XXWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 100A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R5011415XXZT

Beschreibung: RECTIFIER 1400V 150A DO-8 REV

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R5011ANJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R5011410XXWA

R5011410XXWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 100A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R5013ANJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R5013ANXFU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R5011210XXWA

R5011210XXWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R5011615XXWA

R5011615XXWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 150A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R5011415XXWA

R5011415XXWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 150A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R5011215XXWA

R5011215XXWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R5020213LSWA

R5020213LSWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 125A DO205AA

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R5016ANX

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R5020210RSWA

R5020210RSWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R5011ANX

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R5011FNJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R5019ANJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 19A LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R5016ANJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R5016FNJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 16A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R5016FNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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