Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

Für Besucher von Electronica 2024
Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.
Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > R5016FNJTL
RFQs/Bestellung (0)
Deutsch
Deutsch
4713630R5016FNJTL-Bild.LAPIS Semiconductor

R5016FNJTL

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig
1000+
$1.626
Anfrage online
Spezifikation
  • Artikelnummer
    R5016FNJTL
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 500V 16A LPT
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.R5016FNJTL.pdf
    2.R5016FNJTL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    LPTS
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    325 mOhm @ 8A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    50W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Andere Namen
    R5016FNJTLTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1700pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    500V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 500V 16A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount LPTS
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    16A (Tc)

Anthropic erhält eine weitere Investition von 4 Milliarden...

2024/11/23

SEMI: Der Umsatz von IC im dritten Quartal um 12%, das ...

2024/11/22

Es wird berichtet, dass Kioxia am 22. November die Genehmig...

2024/11/21

Die neueste optische Siliziumplattform des Tower Semiconduc...

2024/11/20

Die Branche erholt sich langsam.Der epitaxiale Lieferant IQ...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Lieferant: Eine große Anzahl von GPU -Komponenten der RTX ...

2024/11/18

Taiwan, China Semiconductor's Output -Wert wird in dies...

2024/11/17

Erweiterung der Produktion von OLED -Panels wird LG Display...

2024/11/15

Amazon erhöht die Bemühungen, maßgeschneiderte KI -Chips...

2024/11/14

Der Nettogewinn von Pegatron betrug NT $ 4,296 Milliarden, ...

2024/11/13
Versand
Zahlung
Das Folgende sind "R5016FNJTL" -Einziper.
R5016ANX

R5016ANX

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R5020413LSWA

R5020413LSWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 125A DO205AA

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R5020410RSWA

R5020410RSWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 100A DO205AA

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R5013ANXFU6

R5013ANXFU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 13A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R5013ANJTL

R5013ANJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R5011610XXWA

R5011610XXWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 100A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R5020213LSWA

R5020213LSWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 125A DO205AA

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R5020418FSWA

R5020418FSWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 400V 175A DO205AA

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R5011615XXWA

R5011615XXWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.6KV 150A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R5011ANJTL

R5011ANJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R5020613LSWA

R5020613LSWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 125A DO205AA

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R5011FNJTL

R5011FNJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R5019ANJTL

R5019ANJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 19A LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R5011FNX

R5011FNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R5011ANX

R5011ANX

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 11A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R5020610RSWA

R5020610RSWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 100A DO205AA

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R5020218FSWA

R5020218FSWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 175A DO205AA

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R5020210RSWA

R5020210RSWA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 100A DO205AA

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R5016FNX

R5016FNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 16A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R5016ANJTL

R5016ANJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.
Folgen Sie uns.
Terms & BedingungenVerstoßpolitikFordern Sie ein Angebot anÜber unsKontaktiere unsSeitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.