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6674585R6020ENZ1C9-Bild.Rohm Semiconductor

R6020ENZ1C9

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2500+
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    R6020ENZ1C9
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 20A TO247
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    R6020ENZ1C9.pdf
  • Spannung - Prüfung
    1400pF @ 25V
  • Spannung - Durchschlag
    TO-247
  • VGS (th) (Max) @ Id
    196 mOhm @ 9.5A, 10V
  • Vgs (Max)
    10V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Serie
    -
  • RoHS Status
    Tube
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20A (Tc)
  • Polarisation
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    17 Weeks
  • Hersteller-Teilenummer
    R6020ENZ1C9
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    60nC @ 10V
  • IGBT-Typ
    ±20V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4V @ 1mA
  • FET-Merkmal
    N-Channel
  • Expanded Beschreibung
    N-Channel 600V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-247
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    -
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 600V 20A TO247
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    600V
  • Kapazitätsverhältnis
    120W (Tc)

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R6020825HSYA

R6020825HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6020FNX

R6020FNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6020ANX

R6020ANX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6020KNZ1C9

R6020KNZ1C9

Beschreibung: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6020822PSYA

R6020822PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6020KNJTL

R6020KNJTL

Beschreibung: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6020KNX

R6020KNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6021022PSYA

R6021022PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6021025HSYA

R6021025HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6020FNJTL

R6020FNJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFQ
R6020ANZC8

R6020ANZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFQ
R6020635ESYA

R6020635ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6020835ESYA

R6020835ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6020ENX

R6020ENX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFQ
R6020ANJTL

R6020ANJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
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R6021035ESYA

R6021035ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6020ENJTL

R6020ENJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
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R6020KNZC8

R6020KNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6020ENZC8

R6020ENZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB

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