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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > R6020ENZC8

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192254

R6020ENZC8-Bild.

LAPIS Semiconductor

R6020ENZC8

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Spezifikation

Artikelnummer

R6020ENZC8
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

R6020ENZC8.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-3PF
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

196 mOhm @ 9.5A, 10V
Verlustleistung (max)

120W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-3P-3 Full Pack
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

17 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 20A (Tc) 120W (Tc) Through Hole TO-3PF
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

20A (Tc)

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Das Folgende sind "R6020ENZC8" -Einziper.

R6020ANZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6020KNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6020KNZ1C9

Beschreibung: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6020ANJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6020ENX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6021022PSYA

R6021022PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6020ENJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6020ENZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO247

Hersteller: Rohm Semiconductor

vorrätig

R6020ANX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6021035ESYA

R6021035ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6020822PSYA

R6020822PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6020835ESYA

R6020835ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6021222PSYA

R6021222PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6020825HSYA

R6020825HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6021025HSYA

R6021025HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6020635ESYA

R6020635ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6020FNJTL

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A LPT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6020KNJTL

Beschreibung: NCH 600V 20A POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6020FNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6020KNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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