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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > R6035KNZ1C9

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4453207

R6035KNZ1C9-Bild.

LAPIS Semiconductor

R6035KNZ1C9

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Spezifikation

Artikelnummer

R6035KNZ1C9
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

R6035KNZ1C9.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-247
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

102 mOhm @ 18.1A, 10V
Verlustleistung (max)

379W (Tc)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-247-3
Andere Namen

R6035KNZ1C9TR
R6035KNZ1C9TR-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

17 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

72nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 600V 35A (Tc) 379W (Tc) Through Hole TO-247
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

35A (Tc)

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Das Folgende sind "R6035KNZ1C9" -Einziper.

R6031225HSYA

R6031225HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6031025HSYA

R6031025HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6031035ESYA

R6031035ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R60400-3CR

R60400-3CR

Beschreibung: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

R60400-1STR

R60400-1STR

Beschreibung: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

R60400-1CR

R60400-1CR

Beschreibung: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

R6046ANZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 10V DRIVE TO-3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6031235ESYA

R6031235ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6035ENZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6031425HSYA

R6031425HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6031022PSYA

R6031022PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6046ANZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 46A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6047ENZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 47A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6046FNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 46A TO-3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R60400-1STRM

R60400-1STRM

Beschreibung: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Hersteller: Bussmann (Eaton)

vorrätig

R6031222PSYA

R6031222PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6046FNZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 46A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

R6031435ESYA

R6031435ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.

vorrätig

R6035ENZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

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R6035KNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor

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