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R6031035ESYA

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    R6031035ESYA
  • Hersteller / Marke
    Powerex, Inc.
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    R6031035ESYA.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    1.5V @ 800A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    1000V
  • Supplier Device-Gehäuse
    DO-205AB, DO-9
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    2µs
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-205AB, DO-9, Stud
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -45°C ~ 150°C
  • Befestigungsart
    Chassis, Stud Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    12 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 1000V 350A Chassis, Stud Mount DO-205AB, DO-9
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    50mA @ 1000V
  • Strom - Richt (Io)
    350A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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R6030KNX

R6030KNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6030KNZC8

R6030KNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6031025HSYA

R6031025HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6031022PSYA

R6031022PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6031225HSYA

R6031225HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6030MNX

R6030MNX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6031222PSYA

R6031222PSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6035KNZ1C9

R6035KNZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6031435ESYA

R6031435ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R60400-1CR

R60400-1CR

Beschreibung: FUSE BLOK CART 600V 400A CHASSIS

Hersteller: Bussmann (Eaton)
vorrätig
RFQ
R6035ENZC8

R6035ENZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 35A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6035KNZC8

R6035KNZC8

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 35A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6030KNXC7

R6030KNXC7

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6030ENZ1C9

R6030ENZ1C9

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6031425HSYA

R6031425HSYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
R6030ENX

R6030ENX

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6031235ESYA

R6031235ESYA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205

Hersteller: Powerex, Inc.
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R6030KNZ1C9

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Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 600V 30A TO247

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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