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981907RB238T100HZC9-Bild.LAPIS Semiconductor

RB238T100HZC9

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RB238T100HZC9
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    SCHOTTKY BARRIER DIODE (AEC-Q101
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    860mV @ 20A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    100V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220FN
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    24.7ns
  • Verpackung
    Original-Reel®
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Schottky
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Cathode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 40A Through Hole TO-220-3 Full Pack
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    20µA @ 100V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    40A
RB242C1011-127

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Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RB228NS100FHTL

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Beschreibung:

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RB238NS100FHTL

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RB241C1100

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RB241C1123

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Beschreibung: SWITCH ROCKER SPST 16A 125V

Hersteller: E-Switch
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