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2222019RBR3LAM60ATR-Bild.LAPIS Semiconductor

RBR3LAM60ATR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RBR3LAM60ATR
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDTM
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RBR3LAM60ATR.pdf
    2.RBR3LAM60ATR.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    660mV @ 3A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    60V
  • Supplier Device-Gehäuse
    PMDTM
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SOD-128
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    20 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Schottky
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Schottky 60V 3A Surface Mount PMDTM
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    100µA @ 60V
  • Strom - Richt (Io)
    3A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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RBR3LAM60ATFTR

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RBR3LAM30BTR

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RBR3MM30ATR

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RBR3MM40BTR

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDU

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RBR3MM40ATR

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Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 40V 3A PMDU

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RFQ
RBR3LAM60BTR

RBR3LAM60BTR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RBR3LAM30ATR

RBR3LAM30ATR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 3A PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RBR5L30BTE25

RBR5L30BTE25

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RBR3LAM30BTFTR

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RBR3LAM40ATR

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RBR3LAM40ATFTR

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RBR5L30ATE25

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RBR3LAM60BTFTR

RBR3LAM60BTFTR

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RBR5L40ATE25

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RBR3MM60BTR

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RBR3LAM40CTFTR

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RFQ
RBR3MM60ATR

RBR3MM60ATR

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RBR3LAM40BTFTR

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