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4147427RBR5L30BTE25-Bild.LAPIS Semiconductor

RBR5L30BTE25

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RBR5L30BTE25
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE SCHOTTKY 30V 5A PMDS
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RBR5L30BTE25.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    490mV @ 5A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    30V
  • Supplier Device-Gehäuse
    PMDS
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    DO-214AC, SMA
  • Andere Namen
    RBR5L30BTE25CT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Schottky
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Schottky 30V 5A Surface Mount PMDS
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    150µA @ 30V
  • Strom - Richt (Io)
    5A
  • Kapazität @ Vr, F
    -

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RBR5LAM40ATFTR

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RBR5LAM40ATR

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Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RBR5L30ATE25

RBR5L30ATE25

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 30V 5A PMDS

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RBR3LAM60ATR

RBR3LAM60ATR

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 60V 3A PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RBR5LAM30BTR

RBR5LAM30BTR

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Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RBR5LAM30BTFTR

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Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RBR3MM30ATR

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RBR3LAM60BTR

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RBR5L40ATE25

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RBR3LAM60BTFTR

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RBR3LAM60ATFTR

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RBR5LAM60ATFTR

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RBR5LAM30ATFTR

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RBR5LAM30ATR

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RBR3MM40ATR

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RBR5LAM60ATR

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RBR5L60ATE25

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RBR3MM60ATR

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