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5314699RDN120N25-Bild.LAPIS Semiconductor

RDN120N25

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RDN120N25
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RDN120N25.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220FN
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    210 mOhm @ 6A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    40W (Tc)
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    1224pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    62nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    250V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 250V 12A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FN
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    12A (Ta)

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Das Folgende sind "RDN120N25" -Einziper.
AON7784

AON7784

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 31A 8DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
RDN150N20FU6

RDN150N20FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 15A TO-220FN

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RDN080N25FU6

RDN080N25FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 8A TO220FN

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RDN120N25FU6

RDN120N25FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 12A TO-220FN

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RDN100N20FU6

RDN100N20FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
R6030ENZC8

R6030ENZC8

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PF

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SPD08P06PGBTMA1

SPD08P06PGBTMA1

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPA65R310CFDXKSA1

IPA65R310CFDXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
AOWF12T60P

AOWF12T60P

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 12A TO262F

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
BUK7E1R8-40E,127

BUK7E1R8-40E,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
RDN050N20FU6

RDN050N20FU6

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 5A TO-220FN

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMT6005LSS-13

DMT6005LSS-13

Beschreibung: MOSFET N-CHA 60V 13.5A SO8

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SI4420DY,518

SI4420DY,518

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V SOT96-1

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
IRFU9014N

IRFU9014N

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IXTA200N085T

IXTA200N085T

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 200A TO-263

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
RDN100N20

RDN100N20

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 10A TO-220FN

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
AON6413

AON6413

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 22A 8DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
TPCF8102(TE85L,F,M

TPCF8102(TE85L,F,M

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
DMN61D9U-13

DMN61D9U-13

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.38A SOT23

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
AO3403

AO3403

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
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