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858345RF1001T2D-Bild.LAPIS Semiconductor

RF1001T2D

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  • Artikelnummer
    RF1001T2D
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • ECAD -Modell
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    930mV @ 5A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    200V
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-220FN
  • Geschwindigkeit
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Rückwärts-Erholzeit (Trr)
    30ns
  • Verpackung
    Bulk
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-220-3 Full Pack
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    150°C (Max)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • Diodenkonfiguration
    1 Pair Common Cathode
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 5A Through Hole TO-220-3 Full Pack
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 200V
  • Strom - Richt (Io) (pro Diode)
    5A
RF100PC6

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Beschreibung: RF TXRX MOD 802.15.4 TRACE ANT

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RF1005TF6S

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vorrätig
RF101L4STE25

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Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RF10X5EI-X

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Hersteller: Panduit
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RF10X3EI-X

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Hersteller: Panduit
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RF101L2SDDTE25

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDS

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RF101A2ST-32

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Hersteller: LAPIS Semiconductor
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RF100419

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RF101LAM2STR

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Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 1A PMDTM

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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