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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Arrays > RFN6BM2DTL

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2001569

RFN6BM2DTL-Bild.

LAPIS Semiconductor

RFN6BM2DTL

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vorrätig

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5000+

$0.579

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Spezifikation

Artikelnummer

RFN6BM2DTL
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RFN6BM2DTL.pdf
2.RFN6BM2DTL.pdf
Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If

980mV @ 3A
Spannung - Sperr (Vr) (max)

200V
Supplier Device-Gehäuse

TO-252
Geschwindigkeit

Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

25ns
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Andere Namen

RFN6BM2DTLTR
Betriebstemperatur - Anschluss

150°C (Max)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Diodentyp

Standard
Diodenkonfiguration

1 Pair Common Cathode
detaillierte Beschreibung

Diode Array 1 Pair Common Cathode Standard 200V 3A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Strom - Sperrleckstrom @ Vr

10µA @ 200V
Strom - Richt (Io) (pro Diode)

3A

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Das Folgende sind "RFN6BM2DTL" -Einziper.

RFNL5BM6SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFNL20TJ6SGC9

Beschreibung: DIODE GP 600V 20A TO220ACFP

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN5B6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN5BM3STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 350V 5A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN5BM2STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFNL5TJ6SGC9

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A TO220ACFP

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN5B2STL

RFN5B2STL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN5BGE3STL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN6B2DTL

RFN6B2DTL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN6BM2DFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN5BM6SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFNL5BM6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN3BM6SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN5BM3SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN5BM6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFNL5BGE6STL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN3BM6STL

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 3A TO252

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN5BM2SFHTL

Beschreibung: SUPER FAST RECOVERY DIODE (CORRE

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFN5B3STL

RFN5B3STL

Beschreibung: DIODE GEN PURPOSE CPD

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RFNL10TJ6SGC9

Beschreibung: DIODE GP 600V 10A TO220ACFP

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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