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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Einzel > RGW00TS65GC11
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5664561RGW00TS65GC11-Bild.LAPIS Semiconductor

RGW00TS65GC11

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$3.497
500+
$3.137
1000+
$2.646
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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RGW00TS65GC11
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)
    650V
  • VCE (on) (Max) @ Vge, Ic
    1.9V @ 15V, 50A
  • Testbedingung
    400V, 50A, 10 Ohm, 15V
  • Td (ein / aus) bei 25 ° C
    52ns/180ns
  • Schaltenergie
    1.18mJ (on), 960µJ (off)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TO-247N
  • Serie
    -
  • Leistung - max
    254W
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-247-3
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    15 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabetyp
    Standard
  • IGBT-Typ
    Trench Field Stop
  • Gate-Ladung
    141nC
  • detaillierte Beschreibung
    IGBT Trench Field Stop 650V 96A 254W Through Hole TO-247N
  • Strom - Collector Pulsed (Icm)
    200A
  • Strom - Kollektor (Ic) (max)
    96A
RGW80TS65DGC11

RGW80TS65DGC11

Beschreibung: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RGW-12-1Y

RGW-12-1Y

Beschreibung: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Hersteller: Panduit
vorrätig
RGW60TK65GVC11

RGW60TK65GVC11

Beschreibung: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RGW80TK65GVC11

RGW80TK65GVC11

Beschreibung: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RGPR20NS43HRTL

RGPR20NS43HRTL

Beschreibung: 430V 20A IGNITION IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RGW00TK65DGVC11

RGW00TK65DGVC11

Beschreibung: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RGW80TS65GC11

RGW80TS65GC11

Beschreibung: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RGW-32-1Y

RGW-32-1Y

Beschreibung: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Hersteller: Panduit
vorrätig
RGW60TS65GC11

RGW60TS65GC11

Beschreibung: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RGW60TS65DGC11

RGW60TS65DGC11

Beschreibung: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
IXGT72N60B3

IXGT72N60B3

Beschreibung: IGBT 600V 75A 540W TO268

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RGW60TK65DGVC11

RGW60TK65DGVC11

Beschreibung: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RGW-24-1Y

RGW-24-1Y

Beschreibung: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Hersteller: Panduit
vorrätig
IXYX40N450HV

IXYX40N450HV

Beschreibung: IGBT

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RGW-100-1Y

RGW-100-1Y

Beschreibung: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Hersteller: Panduit
vorrätig
IRGP4263-EPBF

IRGP4263-EPBF

Beschreibung: IGBT 650V 90A 300W TO-247

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RGW00TS65DGC11

RGW00TS65DGC11

Beschreibung: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RGW80TK65DGVC11

RGW80TK65DGVC11

Beschreibung: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RGW00TK65GVC11

RGW00TK65GVC11

Beschreibung: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
FGH40T65SQD-F155

FGH40T65SQD-F155

Beschreibung: 650V 40A FS4 TRENCH IGBT

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
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