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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-IGBTs-Einzel > RGW60TK65DGVC11

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5305038

RGW60TK65DGVC11-Bild.

LAPIS Semiconductor

RGW60TK65DGVC11

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Spezifikation

Artikelnummer

RGW60TK65DGVC11
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RGW60TK65DGVC11.pdf
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

650V
VCE (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A
Testbedingung

400V, 30A, 10 Ohm, 15V
Td (ein / aus) bei 25 ° C

37ns/114ns
Schaltenergie

480µJ (on), 490µJ (off)
Supplier Device-Gehäuse

TO-3PFM
Serie

-
Rückwärts-Erholzeit (Trr)

92ns
Leistung - max

72W
Verpackung / Gehäuse

TO-3PFM, SC-93-3
Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

15 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabetyp

Standard
IGBT-Typ

Trench Field Stop
Gate-Ladung

84nC
detaillierte Beschreibung

IGBT Trench Field Stop 650V 33A 72W Through Hole TO-3PFM
Strom - Collector Pulsed (Icm)

120A
Strom - Kollektor (Ic) (max)

33A

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Das Folgende sind "RGW60TK65DGVC11" -Einziper.

RGW80TS65DGC11

Beschreibung: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RGW00TK65DGVC11

RGW00TK65DGVC11

Beschreibung: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RGW60TS65GC11

Beschreibung: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IRG4RC10KD

IRG4RC10KD

Beschreibung: IGBT 600V 9A 38W DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RGW80TK65DGVC11

RGW80TK65DGVC11

Beschreibung: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RGW00TK65GVC11

Beschreibung: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RGW60TK65GVC11

Beschreibung: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IHW30N120R3FKSA1

IHW30N120R3FKSA1

Beschreibung: IGBT 1200V 60A 349W TO247-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

IRG4BC20KD-STRR

IRG4BC20KD-STRR

Beschreibung: IGBT 600V 16A 60W D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RGW60TS65DGC11

Beschreibung: 650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RGW-32-1Y

Beschreibung: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Hersteller: Panduit

vorrätig

RGW00TS65GC11

Beschreibung: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RGW00TS65DGC11

Beschreibung: 650V 50A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RGW80TK65GVC11

Beschreibung: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RGW80TS65GC11

Beschreibung: 650V 40A FIELD STOP TRENCH IGBT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RGW-100-1Y

Beschreibung: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Hersteller: Panduit

vorrätig

RGW-24-1Y

Beschreibung: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Hersteller: Panduit

vorrätig

RJP60D0DPM-00#T1

RJP60D0DPM-00#T1

Beschreibung: IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM

Hersteller: Renesas Electronics America

vorrätig

RGW-12-1Y

Beschreibung: GROUNDING WASHER KIT 3/8 STUD

Hersteller: Panduit

vorrätig

IXGT20N100

Beschreibung: IGBT 1000V 40A 150W TO268

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

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