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4511372RK7002BMHZGT116-Bild.LAPIS Semiconductor

RK7002BMHZGT116

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RK7002BMHZGT116
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    2.5V DRIVE NCH MOSFET
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RK7002BMHZGT116.pdf
    2.RK7002BMHZGT116.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    SST3
  • Serie
    Automotive, AEC-Q101
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.4 Ohm @ 250mA, 10V
  • Verlustleistung (max)
    350mW (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Andere Namen
    RK7002BMHZGT116CT
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    15pF @ 25V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    60V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 60V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SST3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    250mA (Ta)

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Das Folgende sind "RK7002BMHZGT116" -Einziper.
IRLR210ATM

IRLR210ATM

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 2.7A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
NTMFS4C53NT3G

NTMFS4C53NT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 38A SO8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQD1N60TF

FQD1N60TF

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRFR420ATRLPBF

IRFR420ATRLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
BSS139L6906HTSA1

BSS139L6906HTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 100MA SOT-23

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPB60R120C7ATMA1

IPB60R120C7ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 19A TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSP321PH6327XTSA1

BSP321PH6327XTSA1

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 980MA SOT223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SSM3J36MFV,L3F

SSM3J36MFV,L3F

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
IPB120N10S405ATMA1

IPB120N10S405ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH TO263-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDBL86366-F085

FDBL86366-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 220A PSOF8

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRFL024NTR

IRFL024NTR

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
PSMN7R0-30YLC,115

PSMN7R0-30YLC,115

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 61A LL LFPAK

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
IRLI510ATU

IRLI510ATU

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI3400A-TP

SI3400A-TP

Beschreibung: N-CHANNEL,MOSFETS,SOT-23 PACKAGE

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
RK7002BMT116

RK7002BMT116

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.25A SST3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IPI26CNE8N G

IPI26CNE8N G

Beschreibung: MOSFET N-CH 85V 35A TO262-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFC4227EB

IRFC4227EB

Beschreibung: MOSFET N-CH WAFER

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
RK7002T116

RK7002T116

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RK7002BT116

RK7002BT116

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.25A SOT-23

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RK7002AT116

RK7002AT116

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 300MA SOT-23

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
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