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6129558RRF015P03GTL-Bild.LAPIS Semiconductor

RRF015P03GTL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RRF015P03GTL
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RRF015P03GTL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TUMT3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    160 mOhm @ 1.5A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    320mW (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    3-SMD, Flat Leads
  • Andere Namen
    RRF015P03GTLCT
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    230pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.4nC @ 10V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 1.5A (Ta) 320mW (Ta) Surface Mount TUMT3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    1.5A (Ta)

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Das Folgende sind "RRF015P03GTL" -Einziper.
IRF7726TRPBF

IRF7726TRPBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7A MICRO8

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SPA11N80C3XKSA1

SPA11N80C3XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
RRF015P03TL

RRF015P03TL

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IPP45N06S4L08AKSA1

IPP45N06S4L08AKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 45A TO220-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
BSP125L6327HTSA1

BSP125L6327HTSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NVMFS5C410NLWFAFT1G

NVMFS5C410NLWFAFT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A 330A 5DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STD60NH03L-1

STD60NH03L-1

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 60A I-PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
STW14NM50

STW14NM50

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 14A TO-247

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
IPL65R420E6AUMA1

IPL65R420E6AUMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 4VSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
SSM3K72CTC,L3F

SSM3K72CTC,L3F

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.15A CST3C

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
SI3441BDV-T1-E3

SI3441BDV-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.45A 6-TSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
PHP23NQ11T,127

PHP23NQ11T,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 110V 23A TO220AB

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
IRF3515STRL

IRF3515STRL

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FQD12N20LTM-F085

FQD12N20LTM-F085

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
STD12NF06-1

STD12NF06-1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 12A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
IRF9530NL

IRF9530NL

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 14A TO-262

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPP60R074C6XKSA1

IPP60R074C6XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
RW1C025ZPT2CR

RW1C025ZPT2CR

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SI9433BDY-T1-GE3

SI9433BDY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IXFV14N80PS

IXFV14N80PS

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 14A PLUS220-S

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
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