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RRH100P03TB1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RRH100P03TB1
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 30V 10A SOP8
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RRH100P03TB1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    12.6 mOhm @ 10A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    650mW (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Andere Namen
    RRH100P03TB1CT
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    3600pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    39nC @ 5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 30V 10A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-SOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    10A (Ta)

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Das Folgende sind "RRH100P03TB1" -Einziper.
FDMS7560S

FDMS7560S

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 30A POWER56

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RRH140P03GZETB

RRH140P03GZETB

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RRH040P03TB1

RRH040P03TB1

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 4A SOP8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RRH050P03TB1

RRH050P03TB1

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5A SOP8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDY102PZ

FDY102PZ

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.83A SC89-3

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMT3006LFDF-7

DMT3006LFDF-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V,U-DFN2020-

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
FQI4P40TU

FQI4P40TU

Beschreibung: MOSFET P-CH 400V 3.5A I2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
GP2M005A050CG

GP2M005A050CG

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK

Hersteller: Global Power Technologies Group
vorrätig
RFQ
AO4447AL_201

AO4447AL_201

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8SOIC

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
MCP87018T-U/MF

MCP87018T-U/MF

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 100A 8PDFN

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
RRH050P03GZETB

RRH050P03GZETB

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RRH075P03TB1

RRH075P03TB1

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 7.5A SOP8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RRH090P03TB1

RRH090P03TB1

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 9A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
APT6M100K

APT6M100K

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
RRH100P03GZETB

RRH100P03GZETB

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 10A SOP8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
BSC240N12NS3 G

BSC240N12NS3 G

Beschreibung: MOSFET N-CH 120V 37A 8TDSON

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
RRH140P03TB1

RRH140P03TB1

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 14A SOP8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDI3632

FDI3632

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 80A TO-262AB

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RRHDDOL

RRHDDOL

Beschreibung: DOLLY HEAVY DUTY 19" RELAY RACK

Hersteller: Hammond Manufacturing
vorrätig
RFQ
PHD14NQ20T,118

PHD14NQ20T,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 14A DPAK

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale
vorrätig
RFQ
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