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APT6M100K

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Spezifikation

Artikelnummer

APT6M100K
Hersteller / Marke

Microsemi
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 1000V 6A TO-220
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.APT6M100K.pdf
2.APT6M100K.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 1mA
Vgs (Max)

±30V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TO-220 [K]
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5 Ohm @ 3A, 10V
Verlustleistung (max)

225W (Tc)
Verpackung

Tube
Verpackung / Gehäuse

TO-220-3
Andere Namen

APT6M100KMI
APT6M100KMI-ND
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1410pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 1000V 6A (Tc) 225W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

6A (Tc)

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Das Folgende sind "APT6M100K" -Einziper.

APT68GA60B

Beschreibung: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT65GP60B2G

Beschreibung: IGBT 600V 100A 833W TMAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70SM70J

APT70SM70J

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT68GA60B2D40

Beschreibung: IGBT 600V 121A 520W TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70GR120B2

Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70GR120JD60

Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT65GP60J

Beschreibung: IGBT 600V 130A 431W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70GR65B

Beschreibung: IGBT 650V 134A 595W TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70SM70B

APT70SM70B

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70GR120L

Beschreibung: IGBT 1200V 160A 961W TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT66F60L

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT65GP60L2DQ2G

APT65GP60L2DQ2G

Beschreibung: IGBT 600V 198A 833W TO264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT66F60B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A TO-247

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70SM70S

APT70SM70S

Beschreibung: POWER MOSFET - SIC

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT68GA60LD40

Beschreibung: IGBT 600V 121A 520W TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70GR120J

Beschreibung: IGBT 1200V 112A 543W SOT227

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70GR65B2SCD30

APT70GR65B2SCD30

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT66M60L

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 70A TO-264

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT70GR65B2DU40

APT70GR65B2DU40

Beschreibung: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

Hersteller: Microsemi

vorrätig

APT66M60B2

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 66A T-MAX

Hersteller: Microsemi

vorrätig

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