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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > RTF025N03FRATL

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4657011

RTF025N03FRATL-Bild.

LAPIS Semiconductor

RTF025N03FRATL

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Spezifikation

Artikelnummer

RTF025N03FRATL
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

2.5V DRIVE NCH MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RTF025N03FRATL.pdf
2.RTF025N03FRATL.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

TUMT3
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

67 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Verlustleistung (max)

800mW (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

3-SMD, Flat Leads
Andere Namen

RTF025N03FRATLDKR
Betriebstemperatur

150°C
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 30V 2.5A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2.5A (Ta)

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Das Folgende sind "RTF025N03FRATL" -Einziper.

IPP60R380C6XKSA1

IPP60R380C6XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 10.6A TO220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RTFD12B

Beschreibung: GASKET PANEL SHELL SIZE 12

Hersteller: Amphenol Tuchel Electronics

vorrätig

RTFD14B

Beschreibung: GASKET PANEL SHELL SIZE 14

Hersteller: Amphenol Tuchel Electronics

vorrätig

RTF010P02TL

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1A TUMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RTF025N03TL

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

BUK654R6-55C,127

BUK654R6-55C,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

SI4462DY-T1-E3

SI4462DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

NMSD200B01-7

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.2A SOT363

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

RTF015N03TL

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.5A TUMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

BUK9907-55ATE,127

BUK9907-55ATE,127

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB

Hersteller: NXP Semiconductors / Freescale

vorrätig

RTF020P02TL

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A TUMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RTFD18B

Beschreibung: GASKET PANEL SHELL SIZE 18

Hersteller: Amphenol Tuchel Electronics

vorrätig

RTFD10B

Beschreibung: GASKET PANEL SHELL SIZE 10

Hersteller: Amphenol Tuchel Electronics

vorrätig

RTFD16B

Beschreibung: GASKET PANEL SHELL SIZE 16

Hersteller: Amphenol Tuchel Electronics

vorrätig

RTF015P02TL

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.5A TUMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RTF016N05TL

Beschreibung: MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RTFD24B

Beschreibung: CONN PANEL GASKET SQ BLACK SZ 24

Hersteller: Amphenol Tuchel Electronics

vorrätig

FDP8D5N10C

FDP8D5N10C

Beschreibung: FET ENGR DEV-NOT REL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

IPI040N06N3GXKSA1

IPI040N06N3GXKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 90A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RTFD20B

Beschreibung: CONN PANEL GASKET SQ BLACK SZ 20

Hersteller: Amphenol Tuchel Electronics

vorrätig

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