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1127940RU1C001UNTCL-Bild.LAPIS Semiconductor

RU1C001UNTCL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RU1C001UNTCL
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.RU1C001UNTCL.pdf
    2.RU1C001UNTCL.pdf
    3.RU1C001UNTCL.pdf
    4.RU1C001UNTCL.pdf
    5.RU1C001UNTCL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 100µA
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    UMT3F
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    150mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-85
  • Andere Namen
    RU1C001UNTCL-ND
    RU1C001UNTCLTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    10 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    7.1pF @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    100mA (Ta)

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Beschreibung: RES 100M OHM 5% 1/4W 0603

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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RU1C002ZPTCL

RU1C002ZPTCL

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
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RU1608JR068CS

RU1608JR068CS

Beschreibung: RES 0.068 OHM 5% 1/4W 0603

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
RFQ
RU1608JR091CS

RU1608JR091CS

Beschreibung: RES 91M OHM 5% 1/4W 0603

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
RFQ
RU1608JR075CS

RU1608JR075CS

Beschreibung: RES 75M OHM 5% 1/4W 0603

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
RFQ
RU1608JR047CS

RU1608JR047CS

Beschreibung: RES 47M OHM 5% 1/4W 0603

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
RFQ
RU1608JR036CS

RU1608JR036CS

Beschreibung: RES 36M OHM 5% 1/4W 0603

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
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RU1608JR082CS

RU1608JR082CS

Beschreibung: RES 82M OHM 5% 1/4W 0603

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
RFQ
RU1608JR033CS

RU1608JR033CS

Beschreibung: RES 33M OHM 5% 1/4W 0603

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
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RU1608JR039CS

RU1608JR039CS

Beschreibung: RES 39M OHM 5% 1/4W 0603

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
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RU1608JR027CS

RU1608JR027CS

Beschreibung: RES 27M OHM 5% 1/4W 0603

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
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RU1608JR062CS

RU1608JR062CS

Beschreibung: RES 62M OHM 5% 1/4W 0603

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
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RU1C002UNTCL

RU1C002UNTCL

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
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RU1608JR030CS

RU1608JR030CS

Beschreibung: RES 30M OHM 5% 1/4W 0603

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
RFQ
RU1C001ZPTL

RU1C001ZPTL

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RU1J002YNTCL

RU1J002YNTCL

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 0.2A UMT3F

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
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RU1608JR043CS

RU1608JR043CS

Beschreibung: RES 43M OHM 5% 1/4W 0603

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
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RU1608JR056CS

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Beschreibung: RES 56M OHM 5% 1/4W 0603

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
vorrätig
RFQ
RU1E002SPTCL

RU1E002SPTCL

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 0.25A UMT3F

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
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RU1608JR051CS

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Beschreibung: RES 51M OHM 5% 1/4W 0603

Hersteller: Samsung Electro-Mechanics America, Inc.
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