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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > RUC002N05HZGT116

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RUC002N05HZGT116-Bild.

LAPIS Semiconductor

RUC002N05HZGT116

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Spezifikation

Artikelnummer

RUC002N05HZGT116
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

1.2V DRIVE NCH MOSFET
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RUC002N05HZGT116.pdf
2.RUC002N05HZGT116.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SST3
Serie

Automotive, AEC-Q101
Verlustleistung (max)

350mW (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

RUC002N05HZGT116DKR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

50V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 50V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount SST3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

200mA (Ta)

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Das Folgende sind "RUC002N05HZGT116" -Einziper.

ZXMN6A07FTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

RUC0D331MLG

Beschreibung: CAP ALUM POLY 330UF 20% 2V SMD

Hersteller: Nichicon

vorrätig

NTLJF4156NT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

PSMN4R0-60YS,115

PSMN4R0-60YS,115

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK

Hersteller: Nexperia

vorrätig

IRF7425PBF

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

RUC002N05T116

Beschreibung: MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IRF3704STRR

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 77A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

NTJS3151PT2G

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 2.7A SOT-363

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

DMP6180SK3-13

Beschreibung: MOSFET P-CH 60V 14A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

SSM6J216FE,LF

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 12V 4.8A ES6

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

IXTQ140N10P

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 140A TO-3P

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

STH265N6F6-6AG

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

IRFIBC30G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

RUC0D271MLG

Beschreibung: CAP ALUM POLY 270UF 20% 2V SMD

Hersteller: Nichicon

vorrätig

NTTFS4985NFTAG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16.3A 8-WDFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

IPA80R360P7XKSA1

IPA80R360P7XKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 800V 13A TO220

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

STQ1NC45R-AP

Beschreibung: MOSFET N-CH 450V 0.5A TO-92

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

BUK763R4-30B,118

BUK763R4-30B,118

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

Hersteller: Nexperia

vorrätig

APT5012JN

APT5012JN

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 43A ISOTOP

Hersteller: Microsemi

vorrätig

TPH3206LD

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 17A PQFN

Hersteller: Transphorm

vorrätig

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