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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > RUC002N05T116

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529408

RUC002N05T116-Bild.

LAPIS Semiconductor

RUC002N05T116

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Spezifikation

Artikelnummer

RUC002N05T116
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 50V 0.2A SST3
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.RUC002N05T116.pdf
2.RUC002N05T116.pdf
3.RUC002N05T116.pdf
4.RUC002N05T116.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±8V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

SST3
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Verlustleistung (max)

200mW (Ta)
Verpackung

Original-Reel®
Verpackung / Gehäuse

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Andere Namen

RUC002N05T116DKR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

50V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 50V 200mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SST3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

200mA (Ta)

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Das Folgende sind "RUC002N05T116" -Einziper.

SQD35N05-26L-GE3

SQD35N05-26L-GE3

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 30A TO252

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

CPH6347-TL-H

CPH6347-TL-H

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 6A CPH6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

RUC002N05HZGT116

RUC002N05HZGT116

Beschreibung: 1.2V DRIVE NCH MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

AON6554

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 36A 8DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

RUC0D331MLG

Beschreibung: CAP ALUM POLY 330UF 20% 2V SMD

Hersteller: Nichicon

vorrätig

IRFU214

Beschreibung: MOSFET N-CH 250V 2.2A I-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

FCB260N65S3

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 260MOHM D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDMS8350L

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 47A 8PQFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDFMA3N109

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.9A MICRO2X2

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

SCH2080KEC

Beschreibung: MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

CSD16412Q5A

CSD16412Q5A

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 52A 8-SON

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments

vorrätig

RUC0D271MLG

Beschreibung: CAP ALUM POLY 270UF 20% 2V SMD

Hersteller: Nichicon

vorrätig

FDD3860

FDD3860

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

AOD520

AOD520

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

IXFR180N06

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247

Hersteller: IXYS Corporation

vorrätig

CSD17578Q5AT

CSD17578Q5AT

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 25A 8VSON

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments

vorrätig

IRF6637TR1PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

STP2NK60Z

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220

Hersteller: STMicroelectronics

vorrätig

SSM3K01T(TE85L,F)

SSM3K01T(TE85L,F)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 3.2A TSM

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

AOTF474

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 9A TO220FL

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

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