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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Einzel > RW1C020UNT2R

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RW1C020UNT2R-Bild.

LAPIS Semiconductor

RW1C020UNT2R

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Spezifikation

Artikelnummer

RW1C020UNT2R
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RW1C020UNT2R.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 1mA
Vgs (Max)

±10V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

6-WEMT
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

105 mOhm @ 2A, 4.5V
Verlustleistung (max)

400mW (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

SOT-563, SOT-666
Andere Namen

RW1C020UNT2R-ND
RW1C020UNT2RTR
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

180pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 4.5V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

20V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 20V 2A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

2A (Ta)

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Das Folgende sind "RW1C020UNT2R" -Einziper.

RW1A030APT2CR

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RW1S0BAR005JET

Beschreibung: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Hersteller: Ohmite

vorrätig

RW1S0BA1R00JT

Beschreibung: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Hersteller: Ohmite

vorrätig

RW1A025APT2CR

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RW1S0BA1R00J

Beschreibung: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Hersteller: Ohmite

vorrätig

RW10062A

Beschreibung: WASHER FLAT RETAINING #10 NYLON

Hersteller: Essentra Components

vorrätig

RW1S0BAR005J

Beschreibung: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Hersteller: Ohmite

vorrätig

RW1E025RPT2CR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RW1C015UNT2R

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RW1S0BA1R00JE

Beschreibung: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Hersteller: Ohmite

vorrätig

RW1A020ZPT2R

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RW1S0BAR010F

Beschreibung: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

Hersteller: Ohmite

vorrätig

RW1C025ZPT2CR

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RW1S0BA1R00JET

Beschreibung: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Hersteller: Ohmite

vorrätig

RW1A013ZPT2R

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 1.5A WEMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RW1S0BAR005JE

Beschreibung: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Hersteller: Ohmite

vorrätig

RW1C026ZPT2CR

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RW10032A

Beschreibung: WASHER FLAT RETAINING #10 NYLON

Hersteller: Essentra Components

vorrätig

RW1E015RPT2R

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RW1E014SNT2R

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

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