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Zuhause > Produkte > Widerstände > Chip Widerstand-Surface Mount > RW1S0BA1R00JET

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RW1S0BA1R00JET-Bild.

Ohmite

RW1S0BA1R00JET

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Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

2000+

$1.706

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

RW1S0BA1R00JET
Hersteller / Marke

Ohmite
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

RW1S0BA1R00JET.pdf
Toleranz

±5%
Temperaturkoeffizient

±50ppm/°C
Supplier Device-Gehäuse

SMD J-Lead, Pedestal
Größe / Dimension

0.246" L x 0.136" W (6.25mm x 3.45mm)
Serie

RW
Widerstand

1 Ohms
Leistung (W)

1W
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

2512 J-Lead
Andere Namen

RW1S0BA1R00JETR
Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C
Anzahl der Anschlüsse

2
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

20 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Höhe - eingesteckt (max)

0.141" (3.58mm)
Eigenschaften

Current Sense
Fehlerrate

-
detaillierte Beschreibung

1 Ohms ±5% 1W Chip Resistor 2512 J-Lead Current Sense Wirewound
Zusammensetzung

Wirewound

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Das Folgende sind "RW1S0BA1R00JET" -Einziper.

RW1S0BAR010FT

Beschreibung: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

Hersteller: Ohmite

vorrätig

RW1C026ZPT2CR

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RW1S0BA1R00J

Beschreibung: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Hersteller: Ohmite

vorrätig

RW1S0BAR010JE

Beschreibung: RES 0.01 OHM 5% 1W J LEAD

Hersteller: Ohmite

vorrätig

RW1E025RPT2CR

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RW1E014SNT2R

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RW1S0BAR010FE

Beschreibung: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

Hersteller: Ohmite

vorrätig

RW1E015RPT2R

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RW1S0BAR005JET

Beschreibung: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Hersteller: Ohmite

vorrätig

RW1A030APT2CR

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 3A WEMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RW1S0BAR010F

Beschreibung: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

Hersteller: Ohmite

vorrätig

RW1S0BAR010J

Beschreibung: RES 0.01 OHM 5% 1W J LEAD

Hersteller: Ohmite

vorrätig

RW1C015UNT2R

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 1.5A WEMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RW1S0BA1R00JE

Beschreibung: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Hersteller: Ohmite

vorrätig

RW1S0BAR005J

Beschreibung: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Hersteller: Ohmite

vorrätig

RW1S0BAR005JE

Beschreibung: RES 0.005 OHM 5% 1W J LEAD

Hersteller: Ohmite

vorrätig

RW1C025ZPT2CR

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.5A WEMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RW1C020UNT2R

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 2A WEMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

RW1S0BA1R00JT

Beschreibung: RES SMD 1 OHM 5% 1W J LEAD

Hersteller: Ohmite

vorrätig

RW1S0BAR010FET

Beschreibung: RES 0.01 OHM 1% 1W J LEAD

Hersteller: Ohmite

vorrätig

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