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1685723RYE002N05TCL-Bild.LAPIS Semiconductor

RYE002N05TCL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RYE002N05TCL
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 50V 0.2A EMT3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RYE002N05TCL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    800mV @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    EMT3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    150mW (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-75, SOT-416
  • Andere Namen
    RYE002N05TCLTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    26pF @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    0.9V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    50V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 50V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    200mA (Ta)

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NTTFS4C55NTWG

NTTFS4C55NTWG

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 75A U8FL

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RJK1576DPA-00#J5A

RJK1576DPA-00#J5A

Beschreibung: MOSFET N-CH 150V WPAK

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
IRL3714ZSTRRPBF

IRL3714ZSTRRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDB86102LZ

FDB86102LZ

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 30A D2PAK

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FQPF17N40T

FQPF17N40T

Beschreibung: MOSFET N-CH 400V 9.5A TO-220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AOD446

AOD446

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 10A TO252

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
SI1467DH-T1-E3

SI1467DH-T1-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC-70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IRLU7833PBF

IRLU7833PBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 140A I-PAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRFH8324TRPBF

IRFH8324TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 90A 5X6 PQFN

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
AOD11S60

AOD11S60

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 11A TO252

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
AO4413

AO4413

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
IXTH13N110

IXTH13N110

Beschreibung: MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
IRFR3708TRPBF

IRFR3708TRPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 61A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
NDT02N60ZT3G

NDT02N60ZT3G

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
AOD2908_001

AOD2908_001

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V TO-252

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
IRFUC20

IRFUC20

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AOWF412

AOWF412

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 7.8A TO262F

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
TPCC8006-H(TE12LQM

TPCC8006-H(TE12LQM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
STU1HN60K3

STU1HN60K3

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 1.2A IPAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
IRF2807ZPBF

IRF2807ZPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 75A TO-220AB

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
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