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3398255TPCC8006-H(TE12LQM-Bild.Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8006-H(TE12LQM

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    TPCC8006-H(TE12LQM
  • Hersteller / Marke
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 200µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Serie
    U-MOSVI-H
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8 mOhm @ 11A, 10V
  • Verlustleistung (max)
    700mW (Ta), 27W (Tc)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-PowerVDFN
  • Andere Namen
    TPCC8006-H(TE12LQMTR
    TPCC8006HTE12LQM
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2200pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27nC @ 10V
  • Typ FET
    N-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    30V
  • detaillierte Beschreibung
    N-Channel 30V 22A (Ta) 700mW (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    22A (Ta)
TPCC8093,L1Q

TPCC8093,L1Q

Beschreibung: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPCC8002-H(TE12L,Q

TPCC8002-H(TE12L,Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPCB02593-12-AM-AGDP-L

TPCB02593-12-AM-AGDP-L

Beschreibung: ANTENNA EMBEDDED MICROSTRIPE R/A

Hersteller: Nearson
vorrätig
TPCC8067-H,LQ(S

TPCC8067-H,LQ(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPCDS-BBE-1

TPCDS-BBE-1

Beschreibung: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC

Hersteller: Bussmann (Eaton)
vorrätig
TPCC8066-H,LQ(S

TPCC8066-H,LQ(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A 8TSON-ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPCC8005-H(TE12LQM

TPCC8005-H(TE12LQM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPCC8009,LQ(O

TPCC8009,LQ(O

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPCC8008(TE12L,QM)

TPCC8008(TE12L,QM)

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPCA8A01-H(TE12L,Q

TPCA8A01-H(TE12L,Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 36A SOP8 ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPCC8002-H(TE12LQM

TPCC8002-H(TE12LQM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPCC8103(TE12L,QM)

TPCC8103(TE12L,QM)

Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPCA8A04-H(TE12L,Q

TPCA8A04-H(TE12L,Q

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPCDS-BBE-2

TPCDS-BBE-2

Beschreibung: SWITCH DISCONNECT 3-125A 80VDC

Hersteller: Bussmann (Eaton)
vorrätig
TPCB02593-6-RMM-AGDP-L

TPCB02593-6-RMM-AGDP-L

Beschreibung: ANTENNA EMBEDDED MICROSTRIPE R/A

Hersteller: Nearson
vorrätig
TPCA8A02-H(TE12LQM

TPCA8A02-H(TE12LQM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 34A 8SOP ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPCC8003-H(TE12LQM

TPCC8003-H(TE12LQM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPCC8001-H(TE12LQM

TPCC8001-H(TE12LQM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPCC8A01-H(TE12LQM

TPCC8A01-H(TE12LQM

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
TPCC8065-H,LQ(S

TPCC8065-H,LQ(S

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig

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