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1078986RZR020P01TL-Bild.LAPIS Semiconductor

RZR020P01TL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RZR020P01TL
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RZR020P01TL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TSMT3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    105 mOhm @ 2A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    1W (Ta)
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-96
  • Andere Namen
    RZR020P01MGTL
    RZR020P01TL-ND
    RZR020P01TLTR
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    770pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.5nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    12V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 12V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TSMT3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    2A (Ta)

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Das Folgende sind "RZR020P01TL" -Einziper.
RZR040P01TL

RZR040P01TL

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
NP80N04PUG-E1B-AY

NP80N04PUG-E1B-AY

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 80A TO-263

Hersteller: Renesas Electronics America
vorrätig
RFQ
AOTF20N60

AOTF20N60

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
RF4C050APTR

RF4C050APTR

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 10A 8HUML

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
STP4LN80K5

STP4LN80K5

Beschreibung: MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
E3M0065090D

E3M0065090D

Beschreibung: E-SERIES 900V, 65 MOHM, G3 SIC M

Hersteller: Cree Wolfspeed
vorrätig
RFQ
ZXM64N02XTA

ZXM64N02XTA

Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
TK160F10N1L,LQ

TK160F10N1L,LQ

Beschreibung: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
vorrätig
RFQ
HUFA75344G3

HUFA75344G3

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 75A TO-247

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IXTX6N200P3HV

IXTX6N200P3HV

Beschreibung: 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
JANTX2N7227

JANTX2N7227

Beschreibung: MOSFET N-CH

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
STE48NM50

STE48NM50

Beschreibung: MOSFET N-CH 550V 48A ISOTOP

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
FDMC7570S

FDMC7570S

Beschreibung: MOSFET N-CH 25V 40A POWER33

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FDN359BN

FDN359BN

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 2.7A 3SSOT

Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
RZR025P01TL

RZR025P01TL

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRF7403TR

IRF7403TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IPP80N06S2H5AKSA1

IPP80N06S2H5AKSA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
FDPF7N50F

FDPF7N50F

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 6A TO-220F

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
FKI06051

FKI06051

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 69A TO-220F

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
IRLR024TRR

IRLR024TRR

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
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