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3490880RZR040P01TL-Bild.LAPIS Semiconductor

RZR040P01TL

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    RZR040P01TL
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    RZR040P01TL.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1V @ 1mA
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Technologie
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Supplier Device-Gehäuse
    TSMT3
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    30 mOhm @ 4A, 4.5V
  • Verlustleistung (max)
    1W (Ta)
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    SC-96
  • Andere Namen
    RZR040P01MGTL
    RZR040P01TLCT
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    2350pF @ 6V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30nC @ 4.5V
  • Typ FET
    P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    12V
  • detaillierte Beschreibung
    P-Channel 12V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TSMT3
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    4A (Ta)

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Das Folgende sind "RZR040P01TL" -Einziper.
AOD4185L_003

AOD4185L_003

Beschreibung: MOSFET P-CHANNEL 40V 40A TO252

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
ZXMN6A25N8TA

ZXMN6A25N8TA

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 8SO

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
RUL035N02FRATR

RUL035N02FRATR

Beschreibung: NCH 20V 3.5A POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SIB411DK-T1-GE3

SIB411DK-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
IXTQ220N075T

IXTQ220N075T

Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 220A TO-3P

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
PMV55ENEAR

PMV55ENEAR

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V TO-236AB

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
IXFP26N50P3

IXFP26N50P3

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 26A TO-220

Hersteller: IXYS Corporation
vorrätig
RFQ
RZR020P01TL

RZR020P01TL

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 2A TSMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMTH4005SK3Q-13

DMTH4005SK3Q-13

Beschreibung: MOSFET NCH 40V 95A TO252

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
R5009ANX

R5009ANX

Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 9A TO220

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
RZR025P01TL

RZR025P01TL

Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 2.5A TSMT3

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
IPD50N04S408ATMA1

IPD50N04S408ATMA1

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRLR7833TRLPBF

IRLR7833TRLPBF

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 140A DPAK

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
IRF8113TR

IRF8113TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 17.2A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
STB25NM60N

STB25NM60N

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Hersteller: STMicroelectronics
vorrätig
RFQ
CXDM4060N TR

CXDM4060N TR

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 6A SOT-89

Hersteller: Central Semiconductor
vorrätig
RFQ
TN2524N8-G

TN2524N8-G

Beschreibung: MOSFET N-CH 240V 360MA SOT89-3

Hersteller: Micrel / Microchip Technology
vorrätig
RFQ
NTMS5838NLR2G

NTMS5838NLR2G

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
IRFR9214TR

IRFR9214TR

Beschreibung: MOSFET P-CH 250V 2.7A DPAK

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
APTM100UM65SAG

APTM100UM65SAG

Beschreibung: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
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