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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > SP8M4FRATB

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3110498

SP8M4FRATB-Bild.

LAPIS Semiconductor

SP8M4FRATB

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Spezifikation

Artikelnummer

SP8M4FRATB
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.SP8M4FRATB.pdf
2.SP8M4FRATB.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse

8-SOP
Serie

Automotive, AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 9A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V
Leistung - max

2W
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Andere Namen

SP8M4FRATBCT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1190pF @ 10V, 2600pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15nC @ 5V, 25nC @ 5V
Typ FET

N and P-Channel
FET-Merkmal

Standard
Drain-Source-Spannung (Vdss)

30V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array N and P-Channel 30V 9A (Ta), 7A (Ta) 2W Surface Mount 8-SOP
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

9A (Ta), 7A (Ta)

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Das Folgende sind "SP8M4FRATB" -Einziper.

SP8M6FU6TB

SP8M6FU6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SP8M70TB1

SP8M70TB1

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SP8K5FU6TB

SP8K5FU6TB

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SP8M4FU6TB

SP8M4FU6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SP8M2FU6TB

SP8M2FU6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SP8M3FU6TB

SP8M3FU6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SP8M24FRATB

Beschreibung: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SP8M6TB

SP8M6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SP8M6FRATB

Beschreibung: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SP8K5TB

SP8K5TB

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SP8M10FU6TB

SP8M10FU6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SP8M51TB1

SP8M51TB1

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SP8M3TB

SP8M3TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SP8M10TB

SP8M10TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 7A/4.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SP8M5TB

SP8M5TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SP8M21FRATB

Beschreibung: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SP8M5FRATB

Beschreibung: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SP8M5FU6TB

SP8M5FU6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SP8K52FRATB

Beschreibung: 4V DRIVE NCH+NCH MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SP8M51FRATB

Beschreibung: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

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