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SP8M70TB1

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    SP8M70TB1
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A 8SOIC
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    SP8M70TB1.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 1mA
  • Supplier Device-Gehäuse
    8-SOP
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.63 Ohm @ 1.5A, 10V
  • Leistung - max
    650mW
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Betriebstemperatur
    150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    180pF @ 25V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.2nC @ 10V
  • Typ FET
    N and P-Channel
  • FET-Merkmal
    Standard
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    250V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array N and P-Channel 250V 3A, 2.5A 650mW Surface Mount 8-SOP
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    3A, 2.5A

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SP8M51FRATB

SP8M51FRATB

Beschreibung: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M9FU6TB

SP8M9FU6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M5TB

SP8M5TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M5FU6TB

SP8M5FU6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M6FRATB

SP8M6FRATB

Beschreibung: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M4FRATB

SP8M4FRATB

Beschreibung: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M51TB1

SP8M51TB1

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 100V 3A/2.5A SOP8

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M7TB

SP8M7TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M24FRATB

SP8M24FRATB

Beschreibung: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET (CORRESP

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M3FU6TB

SP8M3FU6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M8FU6TB

SP8M8FU6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M5FRATB

SP8M5FRATB

Beschreibung: 4V DRIVE NCH+PCH MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M7FU6TB

SP8M7FU6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5A/7A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M8TB

SP8M8TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M9TB

SP8M9TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 9A/5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M6FU6TB

SP8M6FU6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M4FU6TB

SP8M4FU6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M2FU6TB

SP8M2FU6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
SP8M6TB

SP8M6TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5A/3.5A 8SOIC

Hersteller: LAPIS Semiconductor
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SP8M3TB

SP8M3TB

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOIC

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