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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > UM6K34NTCN

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5188135

UM6K34NTCN

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Spezifikation

Artikelnummer

UM6K34NTCN
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.UM6K34NTCN.pdf
2.UM6K34NTCN.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

800mV @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse

UMT6
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Leistung - max

120mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

UM6K34NTCNCT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

26pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate, 0.9V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)

50V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 50V 200mA 120mW Surface Mount UMT6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

200mA

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Das Folgende sind "UM6K34NTCN" -Einziper.

UM6K33NTN

UM6K33NTN

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

UM6K31NFHATCN

UM6K31NFHATCN

Beschreibung: 2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

UM62009TALLSET

Beschreibung: BOX ABS GRAY 7.83"L X 11.45"W

Hersteller: Bopla Enclosures

vorrätig

UM6K1NTN

UM6K1NTN

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

UM6J1NTN

UM6J1NTN

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SI4228DY-T1-E3

SI4228DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

IRF7379TRPBF

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

UM62009LSET

Beschreibung: BOX ABS GRAY 7.83"L X 11.45"W

Hersteller: Bopla Enclosures

vorrätig

DMN5L06VA-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.28A SOT-563

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

SIB911DK-T1-E3

SIB911DK-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

UM62609LSET

Beschreibung: BOX ABS GRAY 10.19"L X 11.45"W

Hersteller: Bopla Enclosures

vorrätig

TT8J3TR

Beschreibung: 4V DRIVE PCH+PCH MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SI6955ADQ-T1-E3

SI6955ADQ-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 2.5A 8-TSSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

IRF7304TRPBF

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

AO4803A

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.

vorrätig

UM62009SHORTSET

UM62009SHORTSET

Beschreibung: BOX ABS GRAY 7.83"L X 11.45"W

Hersteller: Bopla Enclosures

vorrätig

UM6606SM

UM6606SM

Beschreibung: DIODE PIN 800V SM

Hersteller: Microsemi

vorrätig

SI6966DQ-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 4A 8TSSOP

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

UM6K31NTN

UM6K31NTN

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

SI7501DN-T1-GE3

SI7501DN-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

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