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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > UM6K31NTN

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905180

UM6K31NTN

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Spezifikation

Artikelnummer

UM6K31NTN
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A UMT6
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.UM6K31NTN.pdf
2.UM6K31NTN.pdf
3.UM6K31NTN.pdf
4.UM6K31NTN.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 1mA
Supplier Device-Gehäuse

UMT6
Serie

-
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.4 Ohm @ 250mA, 10V
Leistung - max

150mW
Verpackung

Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Andere Namen

UM6K31NTNCT
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

10 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

15pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-
Typ FET

2 N-Channel (Dual)
FET-Merkmal

Logic Level Gate, 2.5V Drive
Drain-Source-Spannung (Vdss)

60V
detaillierte Beschreibung

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 250mA 150mW Surface Mount UMT6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

250mA

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Das Folgende sind "UM6K31NTN" -Einziper.

EFC3C001NUZTCG

EFC3C001NUZTCG

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL 4WLCSP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

UM6J1NTN

UM6J1NTN

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 0.2A UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

UM6K33NTN

UM6K33NTN

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

BSS138PS,115

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP

Hersteller: Nexperia

vorrätig

SI4910DY-T1-E3

SI4910DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 7.6A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

FDW2520C

FDW2520C

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 6A/4.4A 8TSSOP

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

UM6K34NTCN

UM6K34NTCN

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

IRF7351TRPBF

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)

vorrätig

UM62009TALLSET

Beschreibung: BOX ABS GRAY 7.83"L X 11.45"W

Hersteller: Bopla Enclosures

vorrätig

DMN1150UFL3-7

Beschreibung: MOSFET 2N-CHA 12V 2A DFN1310

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

UM6K31NFHATCN

UM6K31NFHATCN

Beschreibung: 2.5V DRIVE NCH+NCH MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

UM62009LSET

Beschreibung: BOX ABS GRAY 7.83"L X 11.45"W

Hersteller: Bopla Enclosures

vorrätig

BUK9K6R2-40E,115

BUK9K6R2-40E,115

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 40A LFPAK56D

Hersteller: Nexperia

vorrätig

NVMFD5483NLT3G

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

FDC6322C

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

UM62609LSET

Beschreibung: BOX ABS GRAY 10.19"L X 11.45"W

Hersteller: Bopla Enclosures

vorrätig

UM6K1NTN

UM6K1NTN

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

UM6606SM

UM6606SM

Beschreibung: DIODE PIN 800V SM

Hersteller: Microsemi

vorrätig

ZXMN2088DE6TA

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26

Hersteller: Diodes Incorporated

vorrätig

UM62009SHORTSET

UM62009SHORTSET

Beschreibung: BOX ABS GRAY 7.83"L X 11.45"W

Hersteller: Bopla Enclosures

vorrätig

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