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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-FETs, MOSFETs-Arrays > UT6MA3TCR
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2140051UT6MA3TCR-Bild.LAPIS Semiconductor

UT6MA3TCR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    UT6MA3TCR
  • Hersteller / Marke
    LAPIS Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    20V NCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    1.UT6MA3TCR.pdf
    2.UT6MA3TCR.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 1mA
  • Supplier Device-Gehäuse
    HUML2020L8
  • Serie
    -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    59 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Leistung - max
    2W
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    6-PowerUDFN
  • Andere Namen
    UT6MA3TCRTR
  • Betriebstemperatur
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    40 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds
    460pF @ 10V
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.5nC @ 4.5V
  • Typ FET
    N and P-Channel
  • FET-Merkmal
    -
  • Drain-Source-Spannung (Vdss)
    20V
  • detaillierte Beschreibung
    Mosfet Array N and P-Channel 20V 5A, 5.5A 2W Surface Mount HUML2020L8
  • Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C
    5A, 5.5A

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Das Folgende sind "UT6MA3TCR" -Einziper.
SI4904DY-T1-GE3

SI4904DY-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 8A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
UT6K3TCR

UT6K3TCR

Beschreibung: 30V NCH+NCH MIDDLE POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
UT6J3TCR

UT6J3TCR

Beschreibung: -20V PCH+PCH POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMC31D5UDJ-7

DMC31D5UDJ-7

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 30V SOT963

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SI4914DY-T1-E3

SI4914DY-T1-E3

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8-SOIC

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
SQJB40EP-T1_GE3

SQJB40EP-T1_GE3

Beschreibung: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
AOC2870

AOC2870

Beschreibung: MOSFET 2 N-CHANNEL 4DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
AON2810

AON2810

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 2A 6DFN

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
NTJD4105CT4G

NTJD4105CT4G

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V/8V SOT-363

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
UT6JA2TCR

UT6JA2TCR

Beschreibung: -30V PCH+PCH MIDDLE POWER MOSFET

Hersteller: LAPIS Semiconductor
vorrätig
RFQ
DMC3016LDV-7

DMC3016LDV-7

Beschreibung: MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
SIA975DJ-T1-GE3

SIA975DJ-T1-GE3

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
UT6-7-30-F1

UT6-7-30-F1

Beschreibung: THERMOELECT

Hersteller: Laird Technologies - Thermal Products
vorrätig
RFQ
2N7002DW-TP

2N7002DW-TP

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
APTJC120AM25VCT1AG

APTJC120AM25VCT1AG

Beschreibung: MOSFET MODULE

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
PMGD290UCEAX

PMGD290UCEAX

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 6TSSOP

Hersteller: Nexperia
vorrätig
RFQ
UT6-12-40-F1

UT6-12-40-F1

Beschreibung: THERMOELECT

Hersteller: Laird Technologies - Thermal Products
vorrätig
RFQ
AON6884L_002

AON6884L_002

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 8DFN5X6

Hersteller: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
vorrätig
RFQ
UT6-12-40-F2

UT6-12-40-F2

Beschreibung: THERMOELECT

Hersteller: Laird Technologies - Thermal Products
vorrätig
RFQ
NDS9956A

NDS9956A

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
vorrätig
RFQ
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