Für Besucher von Electronica 2024

Buchen Sie jetzt Ihre Zeit!

Alles was es braucht sind ein paar Klicks, um Ihren Platz zu reservieren und das Standticket zu erhalten

Halle C5 Stand 220

Vorabregistrierung

*Unternehmen
*Name
*Titel

*E-Mail-Addresse
*Telefonnummer

*Land
*Kontaktfenster
*Ereignisdatum

*Nachricht

Für Besucher von Electronica 2024

Sie melden sich alle an! Vielen Dank, dass Sie einen Termin vereinbart haben!
Wir senden Ihnen die Standtickets per E -Mail, sobald wir Ihre Reservierung überprüft haben.

Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Transistoren-bipolare (BJT)-Arrays > VT6Z2T2R

RFQs/Bestellung (0)

Deutsch

Deutsch

3576013

LAPIS Semiconductor

VT6Z2T2R

Online-Anfrage

Bitte vervollständigen Sie alle erforderlichen Felder mit Ihren Kontaktinformationen. Klicken Sie in Kürze per E -Mail "Klicken Sie Senden von RFQ" Wir werden Sie in Kürze kontaktieren.Oder mailen Sie uns:info@ftcelectronics.com

Referenzpreis (in US-Dollar)

vorrätig

8000+

$0.088

Anfrage online

Spezifikation

Artikelnummer

VT6Z2T2R
Hersteller / Marke

LAPIS Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

TRANS NPN/PNP 50V 0.1A 6VMT
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

1.VT6Z2T2R.pdf
2.VT6Z2T2R.pdf
ECAD -Modell
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max)

50V
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 5mA, 50mA
Transistor-Typ

NPN, PNP
Supplier Device-Gehäuse

VMT6
Serie

-
Leistung - max

150mW
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

6-SMD
Betriebstemperatur

150°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

17 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
Frequenz - Übergang

350MHz
detaillierte Beschreibung

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 100mA 350MHz 150mW Surface Mount VMT6
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE

120 @ 1mA, 6V
Strom - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)
Strom - Kollektor (Ic) (max)

100mA

relevante Nachrichten
Versand
Zahlungsmittel

Analog & Power Management ICs: The Key to Future Intell...

USC Develops Chip-Based Pulse-Mode EPR Sensor for Electroni...

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

Microchip kündigt 500 Entlassungen an, wobei die Umstruktu...

Quanta: Die KI -Nachfrage ist weiterhin stark, mit einem st...

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

Samsung reduziert die Verwendung von Photoresist in der 3D ...

Vishay wird 51 Millionen Pfund in den erworbenen NWF Wafer ...

Versand

Zahlung

Das Folgende sind "VT6Z2T2R" -Einziper.

VT6045CHM3/4W

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO-220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

PBSS5220PAPSX

Beschreibung: TRANS 2PNP 20V 2A 6HUSON

Hersteller: Nexperia

vorrätig

VT6045C-M3/4W

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO-220AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

2SA1873-GR(TE85L,F

2SA1873-GR(TE85L,F

Beschreibung: TRANS 2PNP 50V 0.15A USV

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage

vorrätig

VT60-522

VT60-522

Beschreibung: TRIPLE OUTPUT POWER SUPPLY

Hersteller: TDK-Lambda Americas, Inc.

vorrätig

VT60M45CHM3/4W

VT60M45CHM3/4W

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V TO220

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

FMB2907A

Beschreibung: TRANS 2PNP 60V 0.6A 6SSOT

Hersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

vorrätig

VT6Z1T2R

Beschreibung: TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

VT6M1T2CR

Beschreibung: MOSFET N/P-CH 20V 0.1A VMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

VT6K1T2CR

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

VT60M120CHM3/4W

VT60M120CHM3/4W

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 120V TO220

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

VT6X1T2R

Beschreibung: TRANS 2NPN 20V 0.2A 6VMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

PMBT3904YS,115

Beschreibung: TRANS 2NPN 40V 0.2A 6TSSOP

Hersteller: Nexperia

vorrätig

VT60-525

VT60-525

Beschreibung: TRIPLE OUTPUT POWER SUPPLY

Hersteller: TDK-Lambda Americas, Inc.

vorrätig

VT6J1T2CR

Beschreibung: MOSFET 2P-CH 20V 0.1A VMT6

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

VT6X2T2R

Beschreibung: TRANS 2NPN 50V 0.1A 6VMT

Hersteller: LAPIS Semiconductor

vorrätig

CMLT3906E TR

Beschreibung: TRANS PNP 60V 0.2A SOT563

Hersteller: Central Semiconductor

vorrätig

VT60-5FF

VT60-5FF

Beschreibung: TRIPLE OUTPUT POWER SUPPLY

Hersteller: TDK-Lambda Americas, Inc.

vorrätig

VT60M45C-M3/4W

VT60M45C-M3/4W

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V TO220

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

VT60L45PW-M3/4W

VT60L45PW-M3/4W

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 45V 30A TMBS

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay

vorrätig

Als einziger öffentlicher offener Markthändler besitzen wir eine einzigartige Kombination aus globalem Zugang, Fertigungsindustrie und nachgewiesener Qualität.Damit können wir maßgeschneiderte Lieferkettenlösungen für Lieferketten für die Beschaffung von Elektronikkomponenten und das Inventarmanagement erstellen.

Folgen Sie uns.

Terms & Bedingungen Verstoßpolitik Fordern Sie ein Angebot an Über uns Kontaktiere uns Nachricht Seitenverzeichnis

Sprache auswählen

Klicken Sie auf den Leerzeichen zum Beenden

Aktuelle Sprache

Wählen Sie Ihr Land oder Ihre Region.