BQ4010MA-85

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Spezifikation

Artikelnummer

BQ4010MA-85
Hersteller / Marke

Luminary Micro/Texas Instruments
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28DIP
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
ECAD -Modell
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

85ns
Spannungsversorgung

4.75 V ~ 5.5 V
Technologie

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Supplier Device-Gehäuse

28-DIP Module (18.42x37.72)
Serie

-
Verpackung

Tray
Verpackung / Gehäuse

28-DIP Module (0.61", 15.49mm)
Andere Namen

296-9389-5
Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)
Befestigungsart

Through Hole
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

1 (Unlimited)
Speichertyp

Non-Volatile
Speichergröße

64Kb (8K x 8)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

NVSRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory IC 64Kb (8K x 8) Parallel 85ns 28-DIP Module (18.42x37.72)
Basisteilenummer

BQ4010
Zugriffszeit

85ns

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Das Folgende sind "BQ4010MA-85" -Einziper.

BQ4011MA-150

Beschreibung: IC NVSRAM 256K PARALLEL 28DIP

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments

vorrätig

BQ4010MA-85

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