CSD18510KTTT

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Spezifikation

Artikelnummer

CSD18510KTTT
Hersteller / Marke

Luminary Micro/Texas Instruments
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

40V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSF
Bleifreier Status / RoHS Status

Enthält Blei / RoHS-konform
ECAD -Modell
VGS (th) (Max) @ Id

2.3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Technologie

MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse

DDPAK/TO-263-3
Serie

NexFET™
Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.6 mOhm @ 100A, 10V
Verlustleistung (max)

250W (Ta)
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA
Andere Namen

296-45229-2
Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

2 (1 Year)
Hersteller Standard Vorlaufzeit

35 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status

Contains lead / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds

11400pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

132nC @ 10V
Typ FET

N-Channel
FET-Merkmal

-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)

40V
detaillierte Beschreibung

N-Channel 40V 274A (Tc) 250W (Ta) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C

274A (Tc)

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Das Folgende sind "CSD18510KTTT" -Einziper.

CSD18512Q5BT

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 211A 8VSON

Hersteller: Luminary Micro / Texas Instruments

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