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Zuhause > Produkte > Diskrete Halbleiter-Produkte > Dioden-Gleichrichter-Einzel > 6A8-TP
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51824726A8-TP-Bild.Micro Commercial Components (MCC)

6A8-TP

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  • Artikelnummer
    6A8-TP
  • Hersteller / Marke
    Micro Commercial Components (MCC)
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    DIODE GEN PURP 800V 6A R6
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    6A8-TP.pdf
  • Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If
    950mV @ 6A
  • Spannung - Sperr (Vr) (max)
    800V
  • Supplier Device-Gehäuse
    R-6
  • Geschwindigkeit
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Cut Tape (CT)
  • Verpackung / Gehäuse
    R6, Axial
  • Andere Namen
    6A8-TPMSCT
  • Betriebstemperatur - Anschluss
    -55°C ~ 125°C
  • Befestigungsart
    Through Hole
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Hersteller Standard Vorlaufzeit
    14 Weeks
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • Diodentyp
    Standard
  • detaillierte Beschreibung
    Diode Standard 800V 6A Through Hole R-6
  • Strom - Sperrleckstrom @ Vr
    10µA @ 800V
  • Strom - Richt (Io)
    6A
  • Kapazität @ Vr, F
    -
  • Basisteilenummer
    6A8

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Das Folgende sind "6A8-TP" -Einziper.
6A80G A0G

6A80G A0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A8-T

6A8-T

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Hersteller: Diodes Incorporated
vorrätig
RFQ
6A80G B0G

6A80G B0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A80GHA0G

6A80GHA0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
R6110230XXYZ

R6110230XXYZ

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 300A DO205AB

Hersteller: Powerex, Inc.
vorrätig
RFQ
6A80GHB0G

6A80GHB0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A8TA

6A8TA

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
vorrätig
RFQ
VS-70HFL60S05

VS-70HFL60S05

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 70A DO203AB

Hersteller: Electro-Films (EFI) / Vishay
vorrätig
RFQ
6A80G R0G

6A80G R0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
6A8

6A8

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R6

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
SF16G-TP

SF16G-TP

Beschreibung: DIODE GPP SUPER FAST 1A DO-41

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
1N6630

1N6630

Beschreibung: DIODE GEN PURP 990V 1.4A AXIAL

Hersteller: Microsemi
vorrätig
RFQ
RS2JAHR3G

RS2JAHR3G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 600V 1.5A DO214AC

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
MBRX02550-TP

MBRX02550-TP

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 50V 250MA SOD323

Hersteller: Micro Commercial Components (MCC)
vorrätig
RFQ
RX 10ZV

RX 10ZV

Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL

Hersteller: Sanken Electric Co., Ltd.
vorrätig
RFQ
6A80GHR0G

6A80GHR0G

Beschreibung: DIODE GEN PURP 800V 6A R-6

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
CD214A-B140R

CD214A-B140R

Beschreibung: DIO SBD VRRM 40V 1A SMA

Hersteller: Bourns, Inc.
vorrätig
RFQ
SR802 A0G

SR802 A0G

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 20V 8A DO201AD

Hersteller: TSC (Taiwan Semiconductor)
vorrätig
RFQ
CSD04060A

CSD04060A

Beschreibung: DIODE SCHOTTKY 600V 7A TO220-2

Hersteller: Cree Wolfspeed
vorrätig
RFQ
D721S45TXPSA1

D721S45TXPSA1

Beschreibung: DIODE GEN PURP 4.5KV 1080A

Hersteller: International Rectifier (Infineon Technologies)
vorrätig
RFQ
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