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EDB4416BBBH-1DIT-F-R

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Spezifikation

Artikelnummer

EDB4416BBBH-1DIT-F-R
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

EDB4416BBBH-1DIT-F-R.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.14 V ~ 1.95 V
Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2
Serie

-
Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TC)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

4Gb (256M x 16)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (256M x 16) Parallel 533MHz
Uhrfrequenz

533MHz

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Micron Technology

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EDB4416BBBH-1DIT-F-D

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Micron Technology

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA

Hersteller: Micron Technology

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EDB4064B4PB-1DIT-F-D

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Micron Technology

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Micron Technology

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EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Micron Technology

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EDB4064B4PB-1DIT-F-R

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Hersteller: Micron Technology

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EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Micron Technology

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EDB4064B4PB-1D-F-R TR

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Hersteller: Micron Technology

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EDB4432BBBJ-1D-F-R

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Micron Technology

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Micron Technology

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EDB4064B3PP-1D-F-D

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 240FBGA

Hersteller: Micron Technology

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 134FBGA

Hersteller: Micron Technology

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA

Hersteller: Micron Technology

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

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