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  • Artikelnummer
    EDB4432BBBJ-1DAAT-F-D
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.14 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    SDRAM - Mobile LPDDR2
  • Serie
    -
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 105°C (TC)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (128M x 32)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    DRAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 533MHz
  • Uhrfrequenz
    533MHz

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