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EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR-Bild.

Micron Technology

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR

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Artikelnummer

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR
Hersteller / Marke

Micron Technology
Bestandsmenge

vorrätig
Beschreibung

IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA
Bleifreier Status / RoHS Status

Bleifrei / RoHS-konform
Datenblätte

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR.pdf
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite

-
Spannungsversorgung

1.14 V ~ 1.95 V
Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2
Supplier Device-Gehäuse

134-VFBGA (10x11.5)
Serie

-
Verpackung

Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse

134-VFBGA
Andere Namen

EDB5432BEBH-1DAAT-F-R
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R TR-ND
EDB5432BEBH-1DAAT-F-R-ND
EDB5432BEBH-1DAAT-F-RTR
Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)
Befestigungsart

Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)

3 (168 Hours)
Speichertyp

Volatile
Speichergröße

512Mb (16M x 32)
Speicherschnittstelle

Parallel
Speicherformat

DRAM
Bleifreier Status / RoHS-Status

Lead free / RoHS Compliant
detaillierte Beschreibung

SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)
Uhrfrequenz

533MHz

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Hersteller: Micron Technology

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Hersteller: Micron Technology

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Hersteller: Micron Technology

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Hersteller: Micron Technology

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Micron Technology

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Micron Technology

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Micron Technology

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA

Hersteller: Micron Technology

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Micron Technology

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Beschreibung: IC DRAM 512M PARALLEL 134VFBGA

Hersteller: Micron Technology

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Beschreibung: IC DRAM 4G PARALLEL 533MHZ

Hersteller: Micron Technology

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Beschreibung: KIT DEVELOPMENT EP73XX ARM7

Hersteller: Cirrus Logic

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