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2603890MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR-Bild.Micron Technology

MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR

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  • Artikelnummer
    MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • Datenblätte
    MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR.pdf
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
  • Supplier Device-Gehäuse
    168-WFBGA (12x12)
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Verpackung / Gehäuse
    168-WFBGA
  • Andere Namen
    MT29C4G48MAYBAAKQ-5 WT TR-ND
    MT29C4G48MAYBAAKQ-5WTTR
  • Betriebstemperatur
    -25°C ~ 85°C (TA)
  • Befestigungsart
    Surface Mount
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH, RAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (64M x 32)(LPDRAM) Parallel 200MHz 168-WFBGA (12x12)
  • Uhrfrequenz
    200MHz
  • Basisteilenummer
    MT29C4G48M

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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH LPDRAM 137VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH LPDRAM 6G 130MCP

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH LPDRAM 137VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARAL 153VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH LPDRAM 6G 130MCP

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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ

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