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MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
  • Serie
    -
  • Andere Namen
    MT29C4G48MAYBBAHK-48 AIT-ND
    MT29C4G48MAYBBAHK-48AIT
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDRAM)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH, RAM
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDRAM) Parallel 208MHz
  • Uhrfrequenz
    208MHz

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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARAL 107TFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH LPDRAM 137VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH LPDRAM 137VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH LPDRAM 6G 130MCP

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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA

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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ

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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH LPDRAM 137VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA

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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARAL 153VFBGA

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