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MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT TR

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Spezifikation
  • Artikelnummer
    MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT TR
  • Hersteller / Marke
    Micron Technology
  • Bestandsmenge
    vorrätig
  • Beschreibung
    IC FLASH RAM 4G PARALLEL 208MHZ
  • Bleifreier Status / RoHS Status
    Bleifrei / RoHS-konform
  • ECAD -Modell
  • Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite
    -
  • Spannungsversorgung
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologie
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM
  • Serie
    -
  • Verpackung
    Tape & Reel (TR)
  • Andere Namen
    MT29C4G48MAZBBAKB-48 IT TR-ND
    MT29C4G48MAZBBAKB-48ITTR
  • Betriebstemperatur
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Speichertyp
    Non-Volatile
  • Speichergröße
    4Gb (256M x 16)(NAND), 2G (128M x 16)(LPDRAM)
  • Speicherschnittstelle
    Parallel
  • Speicherformat
    FLASH, RAM
  • Bleifreier Status / RoHS-Status
    Lead free / RoHS Compliant
  • detaillierte Beschreibung
    FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Memory IC 4Gb (256M x 16)(NAND), 2G (128M x 16)(LPDRAM) Parallel 208MHz
  • Uhrfrequenz
    208MHz

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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT29C4G48MAZAPAKD-5 IT

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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARAL 137TFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT TR

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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARAL 168WFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT29C4G96MAYAMCMJ-5 IT

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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARALLEL 200MHZ

Hersteller: Micron Technology
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MT29C4G48MAZBAAKS-5 E WT TR

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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

Hersteller: Micron Technology
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MT29C4G96MAAHBACKD-5 WT

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Beschreibung: IC FLASH RAM 4G PARAL 137VFBGA

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Beschreibung: IC FLASH 4GB LPDDR 137VFBGA

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